SJ 50033.111-1996 半导体光电子器件GT16型硅NPN光电晶体管详细规范
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ID： |
5A7D7E756EA040C0BE138FB3CF5F4DC4 |
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0.65 |
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10 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/111-96,半导体光电子器件,GT16型硅NPN光电晶体管,详细规范,Semiconductor optoelectronic devices,Delail specification for type GT16,Si.NPN phototransistor,1996-08-30 发布1997-01-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GT16型硅NPN光电晶体管详细规范 SJ 50033/111-96,Semiconductor optoelectronic devices,Delail specification for type GT16,Si ?NPN phototransistor,范,1.I 主题内容,本规范规定了军用GT16型硅NPN光电晶体管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购°,1.3 分类,1.3.I 器件型号,器件分为GT16A型和GT16B型,1.3.2 器件等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供的质量保证等级为普军级(GP)和特军级,(GT)二级 0,2引用文件,GB 11499—89,GJB 33 - 85,GJB 128 - 86,SJ 2214-82,《半导体分立器件文字符号》,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,半导体光敏管测试方法,SJ/Z 9014.2-87 半导体分立器件和集成电路,第5部分:光电子器件,3要求,3.1 详细要求,各条要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,中华人民共和电子工业部1996-08-30发布1997-01-01 实施,1,SJ 50033/111-96,器件的设计、结构应按GJB 33和3.5.1、3.5.3、3.5,5和3.5.7以及本规范的规定。管芯,结构的NPN型。外形尺寸符合本规范图1的规定,3.2.1 芯片材料,芯片材料为桂,3.2.2 外形尺寸及引出端识别（见图1）,单位:mm,尺寸符号,数 值,尺寸符号,数 值,最小标称最大最小标称最大,b II HI 1 0.5 MBMI 1 & 1.7 1.9,D 1.5 ■ M 1■ !■! 1.6 h4 0.15,H 2.7 3.1 Q 2.1 2.3,% 2.0 II ^lll< 2.4 Z 0.35,h2 0.15 . . 0.2 R 0.25,图1外形尺寸,3.2.3 封装形式,玻璃透镜/金属同轴式空腔封装（见图1）,3.3 引出端材料及涂层,集电极为无氧铜,发射极为可伐,也可按用户要求引出端材料全部为可伐（见6.2）,涂层,为镀金,3.4 最大额定值和主要光电特性,表1,3.4.I最大额定值（见表1）,VcEO,(V),Veco,(V),p「 tot1),(mV),丁,丄amb,（匕） （匕）,50 7.0 50 - 55T25 - 55.125,注:1）耗散功率在25.125匕间按0.5mW/C线性降额,3.4.2主要光电特性（见表2）（7\mb = 25C,除非另有规定）,2,www. bzfxw. com 下载,SJ 50033/111—96,表2,名 称符 号条 件,数值,单位,最小最大,光电流Ic(H),GT16A,GT16B,Vce=10V,Ev=1000LxI),1.0,3.0,mA,mA,暗电流lcEO( 1) Vce=10V，Ev = 0 0.05 mA,暗电流Iceo(2) Vce = 10V, Ev = 0, T皿b = 125匕100 rA,集电极丒发射极,击穿电压,V(BR)CEO Iq ~ 100rA, E v = o 50 V,发射极?集电极,击穿电压,V(BR)￡CO 1"e = 100Ey — 0 7.0 V,集电极丒发射极,饱和电压,^CE(sat) fc(hj = 0. 5mA, Ev = 1000Lx 0.40 V,上升时间レV"ce = 10V, Ic(h)= L 0mA, Re = Ikfl 20,下降时间Ef V= 10V, -^c(h)~ 1 - 0mA, し=Ik, _ . . ..,20,注:光照度由色温T = 2855.6K的鸨丝灯提供,3.5标志,省略GJB 33中关于器件上的标志,其余按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.1,1表4Al分组进行检验和试验的器件可以用于A2、A3、A4分组的检验和试验,通过A,组各分组检验和试验的器件,可以作为检验和试验抽样的母体,鉴定试验总样品量（指通过A,组检验批的数量）至少应等于抽样数量的1.5倍,4.1.2 表5B1分组的检验可采用光电特性不符合3.4.2条要求的器件,4.1.3 在做C组检验中的寿命试验时,制造厂有权选择已经过340h的B组寿命试验的样品,再进行660h的试验,以满足C组寿命试验lOOOh的要求,4.1.4 表6cl分组进行检验的器件可以用于C2分组的检验和试验,4.2 筛选（仅对GT级）,筛选的步骤和条件应按GJB 33和本规范表3的规定,3,SJ 50033/111—96,表3筛选的步骤和条件（仅对GT级）,步骤检验和试验,GJB 128,符号,极限值,单位,方法号条 件最小最大,1 内部目检,（封帽前）,2072 放大20倍检验,2 高温寿命,（不工作）,1032 丁加工125匕,t = 24h,3 热冲击,（温度循环）,1051 除最高溫度,……
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